Vedci posúvajú fyzikálne limity miniaturizácie tranzistorov až na úroveň jednotlivých atómov. Hoci kremíkové polovodiče narážajú pri rozmeroch pod 1 nanometer na kvantové efekty a únik prúdu, využitie 2D materiálov (grafén či MoS₂) umožňuje vytvoriť funkčné hradlá s hĺbkou jediného atómu. To predstavuje teoretické minimum pre budúcu mikroelektroniku.