Smartfóny s týždňovou výdržou? IBM a Samsung pracujú na revolučných čipoch

ZDROJ | IBM

Spoločnosti IBM a Samsung Electronics spoločne oznámili prelom vo vývoji nového dizajnu polovodičov s využitím vertikálnej tranzistorovej architektúry. V zariadeniach má znížiť spotrebu až o 85 %, vďaka čomu by budúce smartfóny mohli na jedno nabitie vydržať celý týždeň, nielen 1-2 dni.

Spolupráca gigantov IBM a Samsung v zdieľanom výskumno-vývojovom stredisku Albany Nanotech Complex v New Yorku prinieslo očakávané ovocie. Spoločnostiam sa podarilo pokročiť vo vývoji novej architektúry pre polovodiče, v ktorej stavili na vertikálne uloženie tranzistorov známe pod skratkou VTFET.

IBM a Samsung môžu vďaka novej architektúre udržať v platnosti tzv. Moorov zákon, podľa ktorého sa počet tranzistorov a ďalších komponentov v integrovanom obvode zhruba každé dva roky zdvojnásobí. V posledných rokoch už výrobcovia v počte tranzistorov, ktoré je možné umiestniť na čip, narážajú na limity aktuálnych výrobných technológií.

Doterajšie čipy využívali tranzistory položené priamo na ploche polovodiča, cez ktoré pretekal elektrický prúd po boku alebo zo strany na stranu. Nová technológia Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor (v skratke VTFET) umožní výrobcom uložiť tranzistory kolmo na povrch čipu s vertikálnym tokom prúdu, čo sa okrem zvýšenia počtu tranzistorov na jednom čipe pozitívne podpíše aj pod celkovú spotrebu čipov. Tá má klesnúť až o 85 %.

Podľa IBM a Samsungu sa tak môžeme tešiť na smartfóny s týždňovou výdržou batérie, ale aj ťaženie kryptomien s menším dopadom na životné prostredie. Šetrnejšie čipy sa okrem toho uplatnia aj vo sfére IoT a to najmä v zariadeniach umiestnených na odľahlých miestach, napr. na mori alebo v púšti.

ZdrojIBM

Komentáre k článku