Spoločnosti Micron Technology a Intel predstavili technológiu 3D NAND, čo je flash pamäť s doteraz najvyššou hustotou na svete. Flash je technológia pre uchovávanie a čítanie digitálnych dát v tých najľahších laptopoch, najrýchlejších dátových centrách, takmer v každom smartfóne, tablete a mobilnom zariadení.
Nová technológia 3D NAND na seba vertikálne ukladá vrstvy pamäťových buniek s neuveriteľnou presnosťou, čím vytvára pamäťové zariadenia s trikrát vyššou kapacitou, než konkurenčné NAND technológie. Výsledkom je viac úložného miesta na menšej ploche s výraznou úsporou nákladov, nízkou energetickou náročnosťou a vysokým výkonom pre celú škálu mobilných zariadení pre spotrebiteľov a tiež aj pre najnáročnejšie podnikové nasadenie.
3D NAND technológia využíva tzv. bunky plávajúceho hradla (angl. floating gate cells) a umožňuje výrobu zariadení s doteraz najvyššou hustotou flash pamäte – s trikrát vyššou kapacitou než u iných vyrábaných NAND pamätí. Ide o prvé použitie bunky plávajúceho hradla v 3D NAND, čo stojí za lepším výkonom a vyššou kvalitou a spoľahlivosťou. V praxi by to mohlo znamenať, že na tzv. gumstick SSD disky uložíte viac ako 3,5 TB a na štandardné 2,5” SSD disky až 10 TB dát!
3D NAND technológia stavia na seba bunky flash pamäte vertikálne do 32 vrstiev, čím získava 256 Gb viacúrovňovú bunku (MLC) a 384 Gb trojúrovňovú bunku (TLC), ktorá sa zmestí do štandardného obalu. Verzia 256Gb MLC 3D NAND sa v súčasnosti ponúka na vzorkovanie pre vybraných partnerov a dizajn 384Gb TLC príde na rad v neskorších jarných mesiacoch. Spustila sa aj prvotná výroba a do plnej produkcie sa obidve zariadenia dostanú v poslednom štvrťroku 2015.
„Spolupráca medzi spoločnosťami Micron a Intel vytvorila technológiu prvého pevného úložiska, ktoré ponúka vysokú hustotu, výkon a úsporu a nevyrovná sa mu žiadna iná súčasná flash pamäť,” povedal Brian Shirley, viceprezident divízie pamäťových technológií a riešení v Micron Technology. „Táto 3D NAND technológia má potenciál vyvolať zásadné pohyby na trhu. Hĺbka dosahu, ktorý doteraz flash pamäť mala – počnúc smartfónmi až po superpočítače s optimalizovanou flash pamäťou – je naozaj len kozmetickou záležitosťou v tom, čo skutočne dokáže.”
„Spoločné úsilie Intelu s Micronom odráža naše neochvejné nasadenie prinášať na trh najlepšie inovatívne nevolatilné pamäťové technológie,” povedal Rob Crooke, senior viceprezident a generálny riaditeľ v divízii pre nevolatilné pamäťové riešenia v Intel. „Významné zlepšenia v hustote a úspora nákladov, ktoré prináša nová 3D NAND technológia, povedú k rýchlejšiemu nasadzovaniu SSD diskov v počítačových platformách.”
Foto: Intel, Micron Technology